2004年8月31日 東京高等裁判所 判決
メモリのリフレッシュ回路の特許性
結果 —向き―
| あらまし | 富士通と富士通ヴィエルエスアイの2社は、「半導体記憶装置」の発明について特許を出願した。この発明は、記憶内容を定期的に書き直す動作（リフレッシュ）の間隔を決める発振回路に、外部の電源電圧が変わっても一定の電圧を供給する電源回路を組み合わせたものだ。特許庁は出願を退け、2社の不服の申立ても認めなかった。そこで2社は、この特許庁の判断（審決）の取消しを求めて裁判を起こした。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、この発明は先に公開された2つの文献（擬似スタティックメモリに関するものと、発振回路に定電圧回路で電源を供給するもの）をもとに専門家なら簡単に思いつけるとして、特許を認めなかった。 |
| 判断 | 2社の請求を退けた。先の文献の発振部がリフレッシュの間隔を決める回路を兼ねているとまではいえないが、リフレッシュ用の発振回路を別に持つと読むのが自然で、特許庁の判断の結論は正しい。 電源電圧が上がると発振が速くなり、リフレッシュが増えて電力を多く使うことは知られていた。もう一方の文献の定電圧回路を組み合わせることは簡単に思いつける。 電源電圧が変わっても消費電流が変わらないという効果は、リフレッシュの間隔を一定にすれば当然生じるもので、予想できる範囲を超えていない。 |
- 裁判年月日
- 2004年8月31日
- 裁判所
- 東京高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成13年（行ケ）第471号
- 事件名
- 審決取消請求事件
- 結果
- —
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 東京高等裁判所 平成13年（行ケ）第471号 2004.08.31— この判決 |
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この判決をした裁判官
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