2003年2月13日 東京高等裁判所 判決
半導体メモリ特許の誤記と請求項ごとの審理
結果 —向き―
| あらまし | アメリカの会社が、「ダイナミックランダムアクセスメモリ」という半導体メモリの発明について特許を出願したが、特許庁は特許を認めなかった。会社は不服を申し立てたが、特許庁はこれも退けた。会社は、特許庁が請求項6の書き間違いを誤った形で直して発明の中身を判断したこと、ほかの請求項を審理しなかったことなどを理由に、特許庁の判断を取り消すよう求めた。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、請求項6の書き間違いを直したうえで、この発明は先に公開された文献の発明から専門家なら簡単に思いつけるものだとして、特許を認めない判断を維持した。 |
| 判断 | 会社の請求を退けた。特許庁による書き間違いの直し方は誤りで、会社の言う直し方が正しいと認めた。 ただ、正しく直しても先行文献との違いは同じ一点だけなので、特許庁の結論は変わらないとした。 請求項が複数あっても、特許は出願ごとに認めるか退けるかを決める。一つでも特許を受けられない請求項があれば、出願全体を退けてよいとした。 |
- 裁判年月日
- 2003年2月13日
- 裁判所
- 東京高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成13年（行ケ）第105号
- 結果
- —
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 東京高等裁判所 平成13年（行ケ）第105号 2003.02.13— この判決 |
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この判決をした裁判官
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