2006年11月29日 知的財産高等裁判所 判決
NANDメモリの選択トランジスタの膜厚
結果 請求棄却向き―
| あらまし | 米国の半導体会社が、NAND型のメモリセルに関する発明について特許を出願した。特許庁は出願を拒絶する査定をし、会社の不服申立ても認めなかった。そこで会社は、この審決の取消しを求めて裁判所に訴えた。争点は、データを選ぶトランジスタの絶縁膜をメモリ部分の薄い膜と同じ厚さにするという特徴が、以前の公開文献に実質的に書かれていたかどうかだった。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、この発明は先に公開された文献の発明とよく知られた技術をもとに、専門家なら簡単に思いつけたものだとした。そのため特許は受けられないとして、不服申立てを退ける審決をした。 |
| 判断 | 先の文献では選択ゲートがメモリセルと同時に作られており、同時に作った絶縁膜は同じ厚さに均一に作られるので、同じ膜厚であることは文献に実質的に書かれていると判断した。 会社は「選択トランジスタの膜は厚くするのが常識」と主張したが、加える電圧の設計しだいで両方を同じ厚さにできることを示す文献もあり、主張は退けられた。 もう一方の選択トランジスタについても判断は同じで、特許庁の審決に誤りはないとして、会社の請求を退けた。 |
- 裁判年月日
- 2006年11月29日
- 裁判所
- 知的財産高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成17年（行ケ）第10787号
- 事件名
- 審決取消請求事件
- 結果
- 請求棄却
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 知的財産高等裁判所 平成17年（行ケ）第10787号 2006.11.29請求棄却 この判決 |
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