2008年10月1日 知的財産高等裁判所 判決
フラッシュメモリの消去方法と先の出願
結果 請求棄却向き―
| あらまし | 米国の半導体メーカーが、フラッシュメモリのメモリセル（記憶素子）について特許を出願した。データ消去後に一定の電圧をかけ、記憶素子が落ち着く「しきい値電圧」の値をずらす仕組みだ。特許庁は、この出願より前に別の会社が出願していた発明と実質的に同じだとして、特許を認めなかった。メーカーはこの判断の取消しを求めて裁判を起こした。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は審判で、メーカーが請求の範囲を絞り込んだ補正も先の出願の発明と実質的に同じなので認められないとして補正を退けた。そのうえで、補正前の発明も先の出願と同じなので特許は受けられないとし、メーカーの不服を退けた。 |
| 判断 | 先の出願の書類は、書き込み時の消費電流を減らす発明を独立した考え方として示しており、しきい値電圧を紫外線消去時の値と等しくする場合に限られないと判断した。 先の出願の発明は、ゲートの電圧を0ボルトとする従来の方法の問題を解決するもので、接地電圧より高い電圧をかけることは明らかだとした。 メーカーが指摘した先の出願の別の実施例は別個の発明で、違いの根拠にならないとした。両発明は実質的に同じで、特許庁の判断に誤りはないとして請求を退けた。 |
- 裁判年月日
- 2008年10月1日
- 裁判所
- 知的財産高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成20年（行ケ）第10108号
- 事件名
- 審決取消請求事件
- 結果
- 請求棄却
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 知的財産高等裁判所 平成20年（行ケ）第10108号 2008.10.01請求棄却 この判決 |
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