2014年9月25日 東京地方裁判所 判決
半導体レーザーの基板と特許の範囲
結果 —向き―
| あらまし | 「窒化物半導体素子」の特許を持つ半導体メーカーの日亜化学工業が、三洋電機の半導体レーザー製品は特許を侵害していると主張した。日亜は、製品の生産や販売などの差止めと廃棄に加え、損害の一部として1億円の支払いを求めた。特許は、窒化ガリウム（GaN）の基板について、下の面から5μmより上の領域では結晶の欠陥が一定の数以下であることなどを条件としていた。三洋の製品の一部は、基板の厚さ方向のどこでも欠陥の数がほぼ均一で、この条件に当たるかどうかが争われた。 |
|---|---|
| 判断 | 日亜の請求をすべて退けた。争いの対象の三洋製品は特許の範囲に入らず、損害額などを判断するまでもないとした。 特許の基板は、5μmの境より下の領域の欠陥が上の領域より多いものを指す。明細書の説明や出願の経過からそう読むべきだとした。 三洋製品の基板は厚さ方向に欠陥の数がほぼ均一で偏りがなく、特許の条件を満たさないとした。 |
- 裁判年月日
- 2014年9月25日
- 裁判所
- 東京地方裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成23年（ワ）第34237号
- 事件名
- 特許権侵害差止等請求事件
- 結果
- —
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 地裁 | 東京地方裁判所 平成23年（ワ）第34237号 2014.09.25— この判決 |
判決文が公開されていないものは、分かっていることだけを載せています。
この判決をした裁判官
3人判決のデータは裁判所ウェブサイトの裁判例検索などから集めています。傾向の色は、これまでの判決をもとにした目安です。
記録所.com は民間のサイトで、裁判所などの公的機関が運営するものではありません。