2015年9月28日 知的財産高等裁判所 判決
窒化物半導体の製法特許と進歩性
結果 審決取消向き―
| あらまし | 三洋電機は、窒化ガリウム（GaN）などの半導体素子の製造方法について特許を持っていた。この方法は、基板の裏面を研磨したときにできる「転位」（結晶の線状の乱れ）を含む層を取り除き、そのうえで電極を付けて電気の通りをよくするものだ。日亜化学工業は、この特許は以前からある技術をもとに簡単に思いつけるとして、特許庁に特許を無効にするよう求めた。しかし認められなかったため、特許庁の判断（審決）の取消しを求めて裁判所に訴えた。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、先に公表されていた2つの文献（研磨後の基板をエッチングで処理してから電極を付ける方法などを記したもの）をもとにしても、この発明を簡単に思いつけたとはいえないとして、無効の請求を退けた。 |
| 判断 | 研磨によって転位を含む「加工変質層」ができること、転位が電気を運ぶ粒子を捕らえて濃度を下げることは、当時の技術者には常識だったと認めた。 研磨後のひずみをエッチングで除く先行技術を知る技術者なら、加工変質層を全部除いて転位密度を元に戻し、電気抵抗を下げることを簡単に思いつけたと判断した。 電気抵抗の数値条件もこの技術から簡単に実現できるため、発明を思いつけないとした特許庁の判断は誤りとして、審決を取り消した。 |
- 裁判年月日
- 2015年9月28日
- 裁判所
- 知的財産高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成26年（行ケ）第10148号
- 事件名
- 審決取消請求事件
- 結果
- 審決取消
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 知的財産高等裁判所 平成26年（行ケ）第10148号 2015.09.28審決取消 この判決 |
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