2005年12月26日 知的財産高等裁判所 判決
フラッシュメモリの書込み方法の進歩性
結果 請求棄却向き―
| あらまし | 米国の半導体会社が、フラッシュメモリ（フラッシュEEPROM）の「ページ」単位で、予備の書込み・消去・書込みを順に行う方法について特許を出願した。特許庁は出願を退け、不服の審判でも「請求は成り立たない」とする審決を出した。会社は、この審決の取消しを求めて裁判を起こした。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、この発明は先に公開された文献の技術と、広く知られた技術から、専門家なら簡単に思いつけるものだとして、特許を認めない審決をした。 |
| 判断 | 会社の請求を退け、特許を認めなかった特許庁の判断を支持した。 先行技術の「ブロック」単位の消去を、より小さい「ページ」単位にするのは量の違いにすぎず、設計を変える程度のことで、簡単に思いつけるとした。 消去の前の予備の書込みも先行文献に示されている。周知技術の例として示しただけの文献について意見を言う機会がなかったからといって、審決が違法になるわけではないとした。 |
- 裁判年月日
- 2005年12月26日
- 裁判所
- 知的財産高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成17年（行ケ）第10027号
- 結果
- 請求棄却
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 知的財産高等裁判所 平成17年（行ケ）第10027号 2005.12.26請求棄却 この判決 |
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この判決をした裁判官
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