2003年6月26日 東京高等裁判所 判決
薄膜トランジスタ製法の特許と進歩性
結果 —向き―
| あらまし | 半導体の研究開発会社は、薄膜トランジスタなどの半導体装置を作る方法を発明したとして特許を出願した。この方法は、シリコン膜を熱で結晶にし、島の形に加工し、表面を酸化し、絶縁膜を重ね、窒素の中で熱処理し、電極を付ける6つの工程からなる。特許庁が出願を認めず、不服の申立ても退けたため、会社はその判断（審決）の取消しを求めて裁判を起こした。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、この発明は以前に公開された文献の製法とよく知られた技術をもとに、専門家なら簡単に思いつけたものだとして、特許を認めなかった判断を維持した（審決）。 |
| 判断 | 会社の請求を退けた。特許庁の判断に、取り消すべき誤りはないとした。 製法の発明は工程の順序が違っても比較はでき、工程を分けたり入れ替えたり加えたりすることが簡単に思いつけるかどうかで判断すれば足りるとした。 結晶化と酸化を分けること、窒素の中での熱処理、島の形にする時期はどれもよく知られた技術で、会社が主張する効果も特許を認める根拠にならないとした。 |
- 裁判年月日
- 2003年6月26日
- 裁判所
- 東京高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成12年（行ケ）第475号
- 結果
- —
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 東京高等裁判所 平成12年（行ケ）第475号 2003.06.26— この判決 |
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この判決をした裁判官
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