2002年12月26日 東京高等裁判所 判決
半導体の製造方法の特許と新規性
結果 —向き―
| あらまし | 三菱電機は、ゲート絶縁膜と半導体基板に窒素を打ち込み、その上にサイドウォール（側壁）を作る半導体装置の製造方法を発明したとして特許を出願した。特許庁はこれを認めず、不服の審判でも同じ結論だった。三菱電機は、その審判の判断を取り消すよう求めて特許庁を訴えた。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、この発明は以前に公開された文献に書かれた技術と同じで新しさがないとして、特許を認めない審決をした。違う点も、よく使われる技術を付け加えただけにすぎないとした。 |
| 判断 | 三菱電機の請求を退け、特許を認めなかった特許庁の判断を維持した。 特許の文言の「ソースドレイン領域」は低濃度のものに限られず、以前の文献の方法でも窒素が基板に入る場合があるので、その工程も文献に書かれていると判断した。 サイドウォールを作る工程は広く使われていた技術で、付け加えても予想外の大きな効果はなく、主張された効果も特許の文言には当てはまらないとした。 |
- 裁判年月日
- 2002年12月26日
- 裁判所
- 東京高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成12年（行ケ）第390号
- 結果
- —
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 東京高等裁判所 平成12年（行ケ）第390号 2002.12.26— この判決 |
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この判決をした裁判官
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