2001年11月27日 東京高等裁判所 判決
半導体材料の特許とパルス発振レーザー
結果 —向き―
| あらまし | 半導体の研究会社が、炭素・窒素・酸素の濃度を低くしたアモルファス(非晶質)シリコンの膜に、レーザー光をパルス発振(光を短く区切って出す方式)で当て、溶かさずに原子を整列させて得る半導体材料の発明について、特許を出願した。特許庁は出願を拒絶し、会社の不服申立ても認めなかった。会社は、この判断を取り消すよう求めて裁判を起こした。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、先に出ていた文献の発明もパルス発振のレーザーを当てる点で同じであり、それ以外の違いも専門家なら簡単に思いつくとして、この発明は特許を受けられないと判断した。 |
| 判断 | 特許庁の判断を取り消した。先の文献の発明は、パルス発振ではなく連続して光を出すレーザーを使うものだと判断した。 文献は連続発振レーザーの例としてパルス発振しかできないエキシマレーザーを挙げていたが、専門家ならこれを書き間違いだと理解するとした。 文献の条件でパルスレーザーを動かしながら当てると、ばらばらの小さな点しか結晶化できず回路を作れないためで、「パルス発振で同じ」とした特許庁の判断は誤りだとした。 |
- 裁判年月日
- 2001年11月27日
- 裁判所
- 東京高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成12年(行ケ)第363号
- 結果
- —
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 東京高等裁判所 平成12年(行ケ)第363号 2001.11.27— この判決 |
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この判決をした裁判官
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