2000年10月24日　東京高等裁判所　判決

半導体メモリ製造方法の特許拒絶

結果　—向き―

あらまし	韓国の電子機器メーカーが、不揮発性半導体メモリ装置の製造方法について特許を出願したが、特許庁に拒絶された。メーカーは不服を申し立てたが、特許庁はこれも退けた。メーカーは、この審決は先に出願された別の発明との違いを見落としているなどと主張し、審決の取消しを求めた。
それまでの判断	特許庁は、この発明は先に出願された他社の明細書に書かれた発明と実質的に同じだとして、特許を受けられないと判断し、メーカーの不服申立てを退けた。
判断	先の出願の明細書は、文章の順序や「また」の使い方からみて、下の導電層を加工した後に絶縁膜を作る手順と読むのが自然で、絶縁膜の位置に違いはないとした。素子間分離用の酸化膜の使用や、材料・絶縁膜の作り方による効果の主張は、特許請求の範囲に書かれていないことを前提としており、認められないとした。拒絶は出願全体を単位とするので、請求項1が特許を受けられない以上、他の請求項を検討せず拒絶した審決に誤りはないとし、請求を退けた。

あらまし

韓国の電子機器メーカーが、不揮発性半導体メモリ装置の製造方法について特許を出願したが、特許庁に拒絶された。メーカーは不服を申し立てたが、特許庁はこれも退けた。メーカーは、この審決は先に出願された別の発明との違いを見落としているなどと主張し、審決の取消しを求めた。

それまでの判断

特許庁は、この発明は先に出願された他社の明細書に書かれた発明と実質的に同じだとして、特許を受けられないと判断し、メーカーの不服申立てを退けた。

判断

先の出願の明細書は、文章の順序や「また」の使い方からみて、下の導電層を加工した後に絶縁膜を作る手順と読むのが自然で、絶縁膜の位置に違いはないとした。

素子間分離用の酸化膜の使用や、材料・絶縁膜の作り方による効果の主張は、特許請求の範囲に書かれていないことを前提としており、認められないとした。

拒絶は出願全体を単位とするので、請求項1が特許を受けられない以上、他の請求項を検討せず拒絶した審決に誤りはないとし、請求を退けた。

裁判の流れ

段階	裁判所	日付	種類	結果	判決文
高裁	東京高等裁判所平成11年（行ケ）第317号 2000.10.24—　この判決	2000.10.24	―	—	この判決

判決文が公開されていないものは、分かっていることだけを載せています。

3人

名前	立場	向き	個別意見・役割
永井紀昭	賛成	―	裁判長
塩月秀平	賛成	―
橋本英史	賛成	―

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