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2000年1月28日 東京地方裁判所 判決

半導体エッチング特許と輸入販売

結果 —向き―

あらましアルミニウムの表面の酸化膜を、三塩化ホウ素の気体の中で「プラズマエッチング」して取り除いてからアルミニウムを削る方法の特許を持っていた会社があった。この会社は、韓国の親会社が製造した半導体製品を日本で輸入販売する子会社に対し、製品はこの特許の方法で作られており、輸入販売は特許権の侵害だと主張した。そして、損害賠償または不当な利益の返還として、約102億円の支払を求めた。
判断

特許を持っていた会社の請求をすべて退けた。韓国の親会社の製造方法は特許の範囲に入らず、ほかの争点は判断するまでもないとした。

特許の「プラズマエッチング」は化学反応で削る方法を指し、イオンをぶつける物理的な衝撃で削ることを伴う方法は含まないと判断した。

明細書の記載に加え、特許の審査の段階で会社自身が、イオンの衝撃を使わない点で両者は全く別のものだと説明していたことを根拠とした。

裁判年月日
2000年1月28日
裁判所
東京地方裁判所
種類
―
事件番号
平成9年(ワ)第24711号
事件名
損害賠償請求事件
結果
—
向き
―
原文
裁判所ウェブサイト

裁判の流れ

段階裁判所日付種類結果判決文
地裁東京地方裁判所

平成9年(ワ)第24711号

2000.01.28— この判決
2000.01.28―—この判決

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この判決をした裁判官

3人
傾向名前立場向き個別意見・役割
森 義之賛成―裁判長
榎戸 道也賛成―
杜下 弘記賛成―

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