2006年8月31日 知的財産高等裁判所 判決
薄膜トランジスタ特許の補正と新規事項
結果 審決取消向き―
| あらまし | 半導体の研究会社が、ニッケルを使って結晶化させた半導体膜をもつ「薄膜トランジスタ」の特許を出願した。特許庁が出願を拒絶したため、会社は不服を申し立てた。その審理の途中で、会社は特許請求の範囲を2度書き直した（補正）。特許庁は2度目の補正を退けたうえで請求を退ける審決をし、会社はこの審決の取消しを求めて訴えた。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、2度目の補正の後では、ニッケル濃度の下限値（1×10^16cm^-3）もニッケルを除去する工程を経た値と読むしかないと判断した。そのうえで、そうした内容は最初の出願書類に書かれていない新しい事項の追加だとして補正を退け、1度目の補正も同じ理由で不適法として、請求を退けた。 |
| 判断 | 特許請求の範囲の文言では、濃度範囲と、上限を超えないようにニッケルを除去することとが分けて書かれている。このため、除去工程は必須ではなく、下限値は除去とは関係ないと読める。 最初の出願書類には、ニッケルが多すぎる場合だけ除去するという説明や、除去工程を経ない実施例が書かれていた。そのため、2度目の補正は新しい事項の追加にあたらず、適法だ。 補正を誤って退けた結果、特許庁は発明の内容の認定も誤ったことになる。そのため、裁判所は審決を取り消した。 |
- 裁判年月日
- 2006年8月31日
- 裁判所
- 知的財産高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成17年（行ケ）第10767号
- 事件名
- 審決取消請求事件
- 結果
- 審決取消
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 知的財産高等裁判所 平成17年（行ケ）第10767号 2006.08.31審決取消 この判決 |
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