2011年2月3日 知的財産高等裁判所 判決
半導体基板の製造方法の特許出願
結果 請求棄却向き―
| あらまし | フランスの半導体材料メーカーが、薄い「シード層」を支持板に貼り移し、その上に結晶の層を成長させてから支持板と切り離す基板の製造方法について特許を出願した。特許庁は、先に公表されていた国際出願の技術と広く知られた技術から簡単に思いつけるとして出願を退けた。メーカーは不服を申し立てたが、これも認められなかったため、その判断（審決）の取消しを求めて裁判を起こした。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、出願の発明は先行する国際出願の発明と6件の公報に示された周知技術から専門家が簡単に思いつけたとして、不服の申立てを認めない審決をした。 |
| 判断 | 先行技術の炭化ケイ素の層は、成長の土台となる薄い層という形と働きが同じで、熱処理と化学的エッチングで切り離す方法も同じだから、発明のシード層にあたる。 支持板と成長させる層の熱膨張率の比を0.7〜3倍とする点も、成長させた層を支持板から切り離す点も、周知技術から簡単に思いつけたと判断した。 表面が平らになって亀裂のない基板ができるという効果は明細書に裏付けがなく、特別な効果とは認められないとして、メーカーの請求を退けた。 |
- 裁判年月日
- 2011年2月3日
- 裁判所
- 知的財産高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成22年（行ケ）第10156号
- 事件名
- 審決取消請求事件
- 結果
- 請求棄却
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 知的財産高等裁判所 平成22年（行ケ）第10156号 2011.02.03請求棄却 この判決 |
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この判決をした裁判官
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