2011年5月12日 知的財産高等裁判所 判決
不良アドレス記憶用メモリ回路の特許
結果 請求棄却向き―
| あらまし | 半導体メーカーのスパンションは、富士通から受け継いだ不揮発性メモリ回路の特許出願について、拒絶の判断を受けた。この回路は、メモリ本体とは別に置いた複数のメモリセルに、1つの電圧変換回路から電圧をかけるものだ。会社は特許庁に不服を申し立てたが退けられたため、その審決を取り消すよう求めて特許庁長官を訴えた。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、この発明は以前からあるフラッシュメモリの文献に記載された発明と、よく知られた技術をもとに、専門家なら簡単に思いつけたものだとして、特許を認めない審決をした。 |
| 判断 | 審決は別の文献をよく知られた技術の例として挙げただけで、主な根拠として使ったわけではない。だから、その文献で改めて拒絶理由を知らせなかった手続に違法はない。 元の文献のメモリセルを、よく知られた故障箇所の記録用回路に使えば、メモリ本体とは別に置く構成になる。専門家なら簡単に思いつけた。 故障箇所を記録する小さな回路でメモリセルを1列に並べるのは特別なことではない。各セルにスイッチを1つずつ付ける構成も容易に思いつけたとして、請求を退けた。 |
- 裁判年月日
- 2011年5月12日
- 裁判所
- 知的財産高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成22年（行ケ）第10291号
- 事件名
- 審決取消請求事件
- 結果
- 請求棄却
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 知的財産高等裁判所 平成22年（行ケ）第10291号 2011.05.12請求棄却 この判決 |
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