2013年11月19日 知的財産高等裁判所 判決
窒化ガリウム半導体素子の特許の有効性
結果 請求棄却向き―
| あらまし | 電機メーカーの三洋電機が、化学メーカーの日亜化学工業が持つ「窒化物半導体素子」の特許は無効だとして、特許庁に審判を申し立てた。この特許は、ハライド気相成長法でつくった厚さ50μm以上の窒化ガリウム(GaN)基板を使ったレーザーなどの素子についてのものだ。基板は、下の面から5μmより上の部分で結晶の欠陥が1平方センチあたり1000万個以下とされている。三洋電機は、先に公表された国際出願の文献と、よく知られた技術を組み合わせれば専門家が簡単に思いつけた発明だと主張した。特許庁がこの主張を退けたため、三洋電機はその判断(審決)の取消しを求めて訴えた。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、日亜化学工業による特許の内容の一部訂正を認めたうえで、無効の主張は成り立たないとする審決をした。先の文献の素子には結晶欠陥の多い部分が残っており、その部分をすべて取り除く動機づけはない。また、リッジストライプ構造と組み合わせる方法も簡単には導けないという理由だった。 |
| 判断 | 特許の文言からみて、基板の下面から5μmより上では、面のどこにも欠陥が1平方センチあたり1000万個を超える偏った部分がないと読むのが合理的だとした。 審決が基板の製造方法を明細書に書かれた方法に限ったのは誤りだと認めた。ただ、欠陥の多い部分の有無という違いの認定には影響せず、結論は変わらないとした。 先の文献の素子には欠陥の多い部分が残っており、それを全部除く動機づけも、ほかの文献の示唆もない。簡単に思いつけたとはいえないとして、請求を退けた。 |
- 裁判年月日
- 2013年11月19日
- 裁判所
- 知的財産高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成25年(行ケ)第10068号
- 事件名
- 審決取消請求事件
- 結果
- 請求棄却
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 知的財産高等裁判所 平成25年(行ケ)第10068号 2013.11.19請求棄却 この判決 |
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