2015年6月16日 知的財産高等裁判所 判決
窒化物半導体レーザのGaN基板の特許
結果 控訴棄却向き―
| あらまし | 日亜化学工業は、「窒化物半導体素子」という発明の特許を持っている。この発明は、GaN基板の上に半導体の層を重ね、基板の下面に電極を付けた素子で、基板の下面から5μmより上の部分では結晶の欠陥が一定の数以下であることを条件としている。日亜化学工業は、三洋電機の製品がこの特許を侵害しているとして、製造・販売の差止めと製品の廃棄、それに損害賠償1億円を求めた。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 東京地方裁判所は、三洋電機の製品は特許の範囲に入らないとして、日亜化学工業の請求をすべて退けた。 |
| 判断 | 一審と同じく、請求を退けた。特許にいう「GaN基板」とは、下面の近くの方が上の部分より結晶の欠陥が多い基板を意味すると判断した。 出願したときの明細書には、欠陥の多い側に電極を付け、少ない側に層を重ねる基板しか書かれていなかった。範囲を広げて読むと、書かれていない内容を後から加えたことになるとした。 三洋電機の製品の基板は、厚さの方向に欠陥の数がほぼ均一で、偏りがないため、特許の範囲に入らないとした。 |
- 裁判年月日
- 2015年6月16日
- 裁判所
- 知的財産高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成26年（ネ）第10104号
- 事件名
- 特許権侵害差止等請求控訴事件
- 結果
- 控訴棄却
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 一審 | 東京地方裁判所―請求を退けた ― |
| 高裁 | 知的財産高等裁判所 平成26年（ネ）第10104号 2015.06.16控訴棄却 この判決 |
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この判決をした裁判官
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