2004年4月22日 東京高等裁判所 判決
半導体のゲート絶縁膜の作り方の特許
結果 —向き―
| あらまし | 電子部品メーカーは、半導体（MOSトランジスタ）の「ゲート絶縁膜」の作り方について特許を出願した。この方法は、シリコン基板の表面にできる汚れや自然にできる酸化膜を熱処理で取り除き、外気から遮断した同じ容器の中で、きれいな表面を保ったまま絶縁膜を作るというものだ。特許庁は特許を認めず、メーカーは特許庁の判断の取り消しを求めて裁判を起こした。 |
|---|---|
| それまでの判断 | 特許庁は、この方法は以前から知られていた2つの発明（ゲート絶縁膜の作り方と、シリコン表面の自然酸化膜を取り除いて同じ装置内で別の層を育てる方法）を組み合わせれば専門家が簡単に思いつけるとして、審判の請求を退けた。 |
| 判断 | メーカーの請求を退けた。この発明は、すでに知られた技術から簡単に思いつけるもので、特許は受けられないとした。 先行技術は、作る層の種類に関係なく使える、表面の酸化膜を除いてきれいに保つ下準備の技術であり、ゲート絶縁膜の作り方に組み合わせる動機があるとした。 酸化膜を除けば絶縁膜の性能が良くなることは広く知られていたので、効果も予想できる範囲にとどまるとした。 |
- 裁判年月日
- 2004年4月22日
- 裁判所
- 東京高等裁判所
- 種類
- ―
- 事件番号
- 平成14年（行ケ）第206号
- 事件名
- 審決取消請求事件
- 結果
- —
- 向き
- ―
- 原文
- 裁判所ウェブサイト
裁判の流れ
| 段階 | 裁判所 |
|---|---|
| 高裁 | 東京高等裁判所 平成14年（行ケ）第206号 2004.04.22— この判決 |
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この判決をした裁判官
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